최근(10/6), 삼성뉴스룸에...
삼성전자, 삼성 테크데이 2022에서 차세대 반도체 솔루션 및 로드맵 발표 기사가 올라와서 살펴봤습니다 ^^..
ㅁ 기사내용 중... 메모리 반도체 관련 궁금한 부분만 간단하게 살펴보면...
- 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 ‘5세대 10나노급(1b) D램’, ‘8세대/9세대 V낸드’를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개했다고 합니다.
[5세대 10나노 DRAM]
- 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이며,
- 삼성전자는 2023년 ‘5세대 10나노급 D램’을 양산하는 한편, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이라고 합니다.
[2030년 1000단 V낸드 개발]
- 삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이며,
- 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1,000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다고 합니다.
[차세대 스토리지 공개]
- 또한, 삼성전자는 PCIe4.0과 PCIe5.0을 모두 지원하는 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB(Host Memory Buffer) 기술을 적용한 SSD ‘PM9C1a’도 발표했다고 합니다.
-- 이하 생략 --
[이미지출처 및 원문링크] https://bit.ly/3ryXGTT
좀 더 자세한 사항은 원문기사를 참고해 주시구요. 좋은 하루 되세요 ^^..
