삼성전자, 세계 최초 GAA 아키텍처와 함께 3nm공정 파운드리 초도 양산 시작 공식 발표!!

최근(6/30), 삼성뉴스룸에..

세계 최초 GAA 아키텍처와 함께 3nm공정 파운드리 초도 양산 시작 발표기사 올라와서 공유해 봅니다 ^^..

 

 

 

 

ㅁ 기사내용을 살펴보면..

   - 삼성전자는 오늘 GAA(Gate-All-Around)를 적용한 3나노미터(nm) 공정 노드의 초기 생산을 시작했다고 발표했습니다.

   - 처음으로 구현된 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET )는 FinFET의 성능 한계를 뛰어넘어 공급 전압 레벨을 줄여 전력 효율을 개선하는 동시에 구동 전류 용량을 높여 성능을 향상시킨다고 합니다.

   - 삼성전자는 나노시트 GAA 구조 적용과 함께 3나노 설계 공정 기술 공동 최적화(DTCO, Design Technology Co-Optimization)를 통해 PPA(Power:소비전력, Performance:성능, Area:면적)를 극대화했다.

   -3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소되었고, 이어 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소된다고합니다.

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[이미지 출처 및 원문링크] https://bit.ly/3OzfGr0

 

 

 

 

 

 

※ 추가 참고로, 삼성뉴스룸 한국어 사이트 동일 뉴스를 링크해 놓습니다.

     - 삼성 뉴스룸 글로벌 사이트 내용이 좀 더 상세하게 기술되어 있어서, 둘 다 참고해 보시면 좋을 듯 싶습니다.

       [Link] https://bit.ly/3R0isXQ

 

 

 

 

 

 

좀 더 자세한 사항은 원문 기사를 참고해 주시구요. 좋은 하루 되세요 ^^..